研究所案内
同志社大学理工学部クリーンルーム内のVG80Hを改良したプラズマ支援分子線エピタキシー成長装置を利用してSi基板からスタートしてダブルバッファー層の作製、AlNのテンプレートの成長を経由して目的とする3族窒化物半導体単結晶薄膜を分子線エピタキシー（MBE)法で作製し、その成長膜の結晶性の評価をいたします。
研究内容
プラズマ支援分子線エピタキシャルにより界面反応エピタキシャル法と活性度変調MEE法を用いてSi基板上に3族窒化物半導体単結晶薄膜成長法を実用化する基礎研究を実施。
研究所業務
- １．
-
MBE法によるエピタキシャル膜製造法の開発
- ２．
-
MBE装置のメンテナンスアドバイス
- ３．
-
３族地下物半導体のMBE成長関連資料の提供
- ４．
-
電磁誘導結合高周波放電プラズマセルの開発や使用のアドバイス
- ５．
-
エピタキシャル膜、デバイス構造膜の結晶性評価
お知らせ
- 2013-03-06
-
第4回3族窒化物結晶成長国際シンポジウム(ISGN4）
発表論文出版 - 2013-02-12
-
研究所設立２周年
- 2013-01-29
-
ISPlasma2013
１月２８日から２月１日まで名古屋大学豊田講堂にて開催のISPlasma2013に参加し ポスター報告をしました。 資料紹介参照
http://www.isplasma.jp/japanese/committee/index.html - 2012-11-16
- 2012-11-11
- 2012-11-7
-
界面反応成長研究所のロゴマークを制定した。