IRE Laboratory

お知らせ

2015-06-18
IREL のホームページシステムを変更しました。
以前のindex.htmlはindex.phpに変更されております。

2015-05-07
2015/5/7-8 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会
2015年春季講演会
第7回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)に参加し発表しました。片平さくらホール(東北大学片平キャンパス)

要旨とポスターは研究資料参照

2015-02-12
研究所設立3周年

研究所案内

同志社大学理工学部クリーンルーム内のVG80Hを改良したプラズマ支援分子線エピタキシー成長装置を利用してSi基板からスタートしてダブルバッファー層の作製、AlNのテンプレートの成長を経由して目的とする3族窒化物半導体単結晶薄膜を分子線エピタキシー(MBE)法で作製し、その成長膜の結晶性の評価をいたします。

詳しくはこちら

研究内容

プラズマ支援分子線エピタキシャルにより界面反応エピタキシャル法と活性度変調MEE法を用いてSi基板上に3族窒化物半導体単結晶薄膜成長法を実用化する基礎研究を実施。

研究所業務

1.
MBE法によるエピタキシャル膜製造法の開発
2.
MBE装置のメンテナンスアドバイス
3.
3族地下物半導体のMBE成長関連資料の提供
4.
電磁誘導結合高周波放電プラズマセルの開発や使用のアドバイス
5.
エピタキシャル膜、デバイス構造膜の結晶性評価

プロフィール

産学連携

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