IRE Laboratory

お知らせ

2016-06-01
新しい、IRE研究所のオフィスを以下の住所へ変更いたしました。
〒610-0313京都府京田辺市三山木七瀬川3−19

2016-05-31
D-eggを本日付で卒業し、311号室から退居しました。

2015-11-11
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)に参加して研究発表をしました。
研究資料参照

研究所理念

結晶成長界面の精密制御により、世の中に役立つ研究成果を創出することを目指します。

研究指針

1.省資源、省エネルギーに繋がるGaN系結晶成長の基本技術創りを目指します。
2.結晶界面の独自の分析評価により、新たな情報提供と支援つくりを目指します。

研究所案内

GaN系結晶を基軸としたⅢ族窒化物系半導体材料のプラズマ支援高周波分子線エピタキシー(RF-MBE)成長装置を利用した成膜技術開発を行ない、特に、Si基板上のGaN系の成膜を実施する方法として、特異なダブルバッファー層の作成、AlNのテンプレートを経由した手法により、独自の界面特性の創出を図っている。さらにMBE法以外の界面反応の精密制御による種々の成膜技術の研究開発も推進中である。併せて、成長させた膜の結晶性評価も支援している。

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研究内容

結晶成長に軸足を置き、界面反応の成膜特性の改善のために、放電生成窒素原子ならびに励起分子利用の活性度変調AM-MEE法を開発し、Si基板上のGaN系成膜の高品質化および評価等を推進している。

  1. Si基板上GaN系エピタキシャル成膜手法の開発
  2. エピタキシャル成長膜、デバイス構造膜の開発と試作販売
  3. X線回折結晶性評価法の開発と成長結晶の評価受託
  4. 電磁誘導結合高周波プラズマセルの開発
  5. 種々の成膜技術に関わる技術指導およびアドバイス
  6. 結晶最密構造モデルの開発と販売

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プロフィール

産学連携

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