IRE LaboratoryIRE Laboratory

お知らせ

2014-3-3
2014年3月3-6日 ISPlasma2014(名城大学)に参加し、ポスター発表を行いました。
Apstract参照 Poster 参照
http://www.isplasma.jp/
2014-2-12
研究所設立2周年
2013-11-6
2013年11月6-8日 第43回結晶成長国内会議(NCCG-43 )長野市生涯学習センター(長野県長野市) に参加し、ポスター発表を行いました。
Apstract参照 Poster 参照
2013-9-26
D-egg Cocktail 京都産業21との共催
第3回「京都事業継続・企業支援ネットワーク実務交流会」兼「橋渡しマッチング会 in D-egg」
D-egg 2階会議室で開催、入居企業の3つのうちの一つとして20分間の企業プレゼンテーションを行いました。
2013-9-20
2013/9/16-20 同志社大学京田辺キャンパスでの第74回応用物理学会学術講演会とJSAP-MRS joint symposiumにてJ-sectionで Interface Reaction Epitaxial (IRE) Growth and Double Buffer Layer (DBL) of AlN on Si using PA-MBE ポスター発表をしました。 資料紹介参照

研究所案内

同志社大学理工学部クリーンルーム内のVG80Hを改良したプラズマ支援分子線エピタキシー成長装置を利用してSi基板からスタートしてダブルバッファー層の作製、AlNのテンプレートの成長を経由して目的とする3族窒化物半導体単結晶薄膜を分子線エピタキシー(MBE)法で作製し、その成長膜の結晶性の評価をいたします。

詳しくはこちら

研究内容

プラズマ支援分子線エピタキシャルにより界面反応エピタキシャル法と活性度変調MEE法を用いてSi基板上に3族窒化物半導体単結晶薄膜成長法を実用化する基礎研究を実施。

研究所業務

1.
MBE法によるエピタキシャル膜製造法の開発
2.
MBE装置のメンテナンスアドバイス
3.
3族地下物半導体のMBE成長関連資料の提供
4.
電磁誘導結合高周波放電プラズマセルの開発や使用のアドバイス
5.
エピタキシャル膜、デバイス構造膜の結晶性評価

プロフィール

産学連携

ページのトップへ戻る