IRE Laboratory

研究所業務

1.
MBE法によるエピタキシャル膜製造法の開発
  • Si基板上の3族窒化物AIN,GaN,InNおよびこれらの混晶の単結晶薄膜 製造
  • Si基板上のAlInN/GaN界面を利用した高移動度HEMT電子デバイスの製造
  • Si基板上のAlInN/GaN界面を利用した量子井戸構造テラヘルツ電子デバイスの製造
2.
MBE装置のメンテナンスアドバイス
  • 実習によるアドバイス
  • ビデオによるアドバイス
3.
3族窒化物半導体のMBE成長関連資料の提供
4.
電磁誘導結合高周波放電プラズマセルの開発や使用のアドバイス
5.
エピタキシャル膜、デバイス構造膜の結晶性評価

プロフィール

産学連携

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